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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
比较
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
总分
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
总分
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.9
14.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
37
43
左右 -16% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
11.8
9.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
37
读取速度,GB/s
14.9
14.6
写入速度,GB/s
9.6
11.8
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2506
2780
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Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FH 8GB
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G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Avant Technology J641GU42J5213ND 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Kingston MSISID4S9S8ME-8 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9905743-045.A00G 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Corsair CMR32GX4M2F3600C18 16GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Corsair CM4X16GE2666C16K8 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M8FB1 16GB
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