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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
比较
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
总分
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
总分
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
43
57
左右 25% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.9
9.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.6
7.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
57
读取速度,GB/s
14.9
9.4
写入速度,GB/s
9.6
7.6
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2506
2170
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CB8GU2400.C8JT 8GB
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Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
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