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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
比较
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
总分
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
总分
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
43
49
左右 12% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.9
8.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.6
8.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
49
读取速度,GB/s
14.9
8.8
写入速度,GB/s
9.6
8.4
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2506
2331
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB RAM的比较
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SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB RAM的比较
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A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRK 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMK32GX4M2B3333C16 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
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Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905625-011.A00G 8GB
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