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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
比较
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
总分
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
总分
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
9.6
8.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
43
左右 -87% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.2
14.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
23
读取速度,GB/s
14.9
16.2
写入速度,GB/s
9.6
8.8
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2506
2442
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TFTD 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
Kingston KF556C40-16 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-TF 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CB16GU2666.C8ET 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMD32GX4M4B3466C16 8GB
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