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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
SK Hynix HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
比较
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs SK Hynix HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
总分
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
总分
SK Hynix HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.9
13
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.6
6.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
43
左右 -43% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
SK Hynix HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
30
读取速度,GB/s
14.9
13.0
写入速度,GB/s
9.6
6.1
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2506
2317
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
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Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
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SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Corsair CMH32GX4M2Z3600C18 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CM4X8GF2666Z16K4 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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Mushkin 996902 2GB
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