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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
SK Hynix HMA84GL7AFR4N-UH 32GB
比较
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs SK Hynix HMA84GL7AFR4N-UH 32GB
总分
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
总分
SK Hynix HMA84GL7AFR4N-UH 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.9
10.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.6
8.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA84GL7AFR4N-UH 32GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
34
43
左右 -26% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
SK Hynix HMA84GL7AFR4N-UH 32GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
34
读取速度,GB/s
14.9
10.8
写入速度,GB/s
9.6
8.3
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2506
2416
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905665-020.A00G 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
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Kingston 9905625-139.A00G 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.C1GMM.DFW0C 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 99U5624-003.A00G 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
A-DATA Technology AO1P24HCST2-BSCS 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology GD2.0927WH.001 8GB
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Kingston 9965600-027.A01G 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
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