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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Smart Modular SF4641G8CKHIWDFSEG 8GB
比较
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Smart Modular SF4641G8CKHIWDFSEG 8GB
总分
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
总分
Smart Modular SF4641G8CKHIWDFSEG 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
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需要考虑的原因
Smart Modular SF4641G8CKHIWDFSEG 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
33
43
左右 -30% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.6
14.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.8
9.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Smart Modular SF4641G8CKHIWDFSEG 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
33
读取速度,GB/s
14.9
15.6
写入速度,GB/s
9.6
11.8
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2506
2757
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB RAM的比较
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Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBR2 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BPGS 8GB
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Corsair CMSX64GX4M2A2933C19 32GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
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Kingston KF3000C15D4/8GX 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C15 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMSO32GX4M2A2133C15 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMK16GX4M2Z2666C16 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Maxsun MSD48G32Q3 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
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