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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16/16G 16GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16/16G 16GB

总分
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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

总分
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Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16/16G 16GB

Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16/16G 16GB

差异 规格 评论

差异

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB 需要考虑的原因
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
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  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    36 left arrow 43
    左右 -19% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    17.1 left arrow 14.9
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    11.0 left arrow 9.6
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    21300 left arrow 12800
    左右 1.66 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16/16G 16GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    43 left arrow 36
  • 读取速度，GB/s
    14.9 left arrow 17.1
  • 写入速度，GB/s
    9.6 left arrow 11.0
  • 内存带宽，mbps
    12800 left arrow 21300
Other
  • 描述
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • 时序/时钟速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2506 left arrow 3009

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Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16/16G 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16/16G 16GB
内存RAM
AMD AE34G1601U1 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE 8GB
内存RAM
AMD AE34G1601U1 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
内存RAM
AMD R5316G1609U2K 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
内存RAM
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
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G Skill Intl F4-4000C16-8GVK 8GB
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内存RAM
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
内存RAM
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
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