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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CM4X16GC3600C18K2D 16GB
比较
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Corsair CM4X16GC3600C18K2D 16GB
总分
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
总分
Corsair CM4X16GC3600C18K2D 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
15.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,123.3
14.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CM4X16GC3600C18K2D 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
35
59
左右 -69% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CM4X16GC3600C18K2D 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
59
35
读取速度,GB/s
4,833.8
15.3
写入速度,GB/s
2,123.3
14.6
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
731
3371
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBR2 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GRS 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Corsair CMW32GX4M2C3000C15 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston KHX2400C12D4/4GX 4GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CM4X16GE2400Z16K4 16GB
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