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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CM4X16GE2133C15S2 16GB
比较
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Corsair CM4X16GE2133C15S2 16GB
总分
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
总分
Corsair CM4X16GE2133C15S2 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
13.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CM4X16GE2133C15S2 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
59
左右 -119% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
6.8
2,123.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CM4X16GE2133C15S2 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
59
27
读取速度,GB/s
4,833.8
13.5
写入速度,GB/s
2,123.3
6.8
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
731
2172
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB RAM的比较
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Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kllisre 0000 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BPGS 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
ISD Technology Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Kingston 99U5702-020.A00G 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston KHX2133C13S4/4G 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston ACR24D4S7S8MB-8 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9905744-011.A00G 32GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
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