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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB
比较
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB
总分
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
总分
Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
13.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,123.3
12.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
41
59
左右 -44% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
59
41
读取速度,GB/s
4,833.8
13.5
写入速度,GB/s
2,123.3
12.7
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
731
3114
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Kingston 9905702-082.A00G 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FHP 8GB
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GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K1HU408 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Corsair CMR16GX4M2C3200C16 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FB 16GB
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