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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CM4X4GF2666Z16K4 4GB
比较
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Corsair CM4X4GF2666Z16K4 4GB
总分
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
总分
Corsair CM4X4GF2666Z16K4 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
11.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,123.3
12.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CM4X4GF2666Z16K4 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
46
59
左右 -28% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CM4X4GF2666Z16K4 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
59
46
读取速度,GB/s
4,833.8
11.4
写入速度,GB/s
2,123.3
12.3
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
731
2541
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
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G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFX 8GB
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Kingston KHX2133C14/8G 8GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
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