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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CM4X8GE2400C15K4 8GB
比较
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Corsair CM4X8GE2400C15K4 8GB
总分
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
总分
Corsair CM4X8GE2400C15K4 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
15.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CM4X8GE2400C15K4 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
22
59
左右 -168% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.4
2,123.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CM4X8GE2400C15K4 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
59
22
读取速度,GB/s
4,833.8
15.5
写入速度,GB/s
2,123.3
8.4
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
731
2319
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FE 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Essencore Limited KD48GS88J-26N1900 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMH32GX4M2D3600C18 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Corsair CMW32GX4M4C3600C18 8GB
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