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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMD64GX4M8B2800C14 8GB
比较
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Corsair CMD64GX4M8B2800C14 8GB
总分
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
总分
Corsair CMD64GX4M8B2800C14 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
14.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,123.3
11.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMD64GX4M8B2800C14 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
59
左右 -127% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMD64GX4M8B2800C14 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
59
26
读取速度,GB/s
4,833.8
14.4
写入速度,GB/s
2,123.3
11.0
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
731
3078
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Frequency (Mhz) *
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Kingston HP24D4U7S8MBP-4 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMZ 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Kingston 99U5624-003.A00G 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
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