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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMG32GX4M2D3600C18 16GB
比较
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Corsair CMG32GX4M2D3600C18 16GB
总分
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
总分
Corsair CMG32GX4M2D3600C18 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
17.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,123.3
14.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMG32GX4M2D3600C18 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
59
左右 -90% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMG32GX4M2D3600C18 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
59
31
读取速度,GB/s
4,833.8
17.8
写入速度,GB/s
2,123.3
14.6
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
731
3573
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FJ 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M393A8K40B21-CTC 64GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9965589-026.D00G 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology BL32G36C16U4B.M16FB1 32GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9905678-033.A00G 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMD64GX4M8B3200C16 8GB
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