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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMK16GX4M2G4000C16 8GB
比较
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Corsair CMK16GX4M2G4000C16 8GB
总分
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
总分
Corsair CMK16GX4M2G4000C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
19.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,123.3
19.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMK16GX4M2G4000C16 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
59
左右 -157% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMK16GX4M2G4000C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
59
23
读取速度,GB/s
4,833.8
19.9
写入速度,GB/s
2,123.3
19.5
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
731
4150
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
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calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Corsair CM4X16GC3000C16K8 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR1 4GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Inmos + 256MB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
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