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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMK16GX4M2Z2666C16 8GB
比较
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Corsair CMK16GX4M2Z2666C16 8GB
总分
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
总分
Corsair CMK16GX4M2Z2666C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
16.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,123.3
12.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMK16GX4M2Z2666C16 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
59
左右 -90% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMK16GX4M2Z2666C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
59
31
读取速度,GB/s
4,833.8
16.4
写入速度,GB/s
2,123.3
12.8
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 25
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
731
3080
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston ACR24D4U7D8MB-16 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C16 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16 8GB
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
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