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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMK16GX4M2Z2933C16 8GB
比较
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Corsair CMK16GX4M2Z2933C16 8GB
总分
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
总分
Corsair CMK16GX4M2Z2933C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
17.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,123.3
14.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMK16GX4M2Z2933C16 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
59
左右 -97% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMK16GX4M2Z2933C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
59
30
读取速度,GB/s
4,833.8
17.4
写入速度,GB/s
2,123.3
14.5
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
731
3393
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905625-065.A00G 16GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CM4B8G4J2400A16K2-ON 8GB
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