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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C14 8GB
比较
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Corsair CMK16GX4M2Z3600C14 8GB
总分
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
总分
Corsair CMK16GX4M2Z3600C14 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
21.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,123.3
16.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMK16GX4M2Z3600C14 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
59
左右 -136% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C14 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
59
25
读取速度,GB/s
4,833.8
21.6
写入速度,GB/s
2,123.3
16.9
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
731
3994
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Heoriady M471A1K43BB1-CRC 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FBD 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
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SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
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