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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMK32GX4M2A2400C16 16GB
比较
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Corsair CMK32GX4M2A2400C16 16GB
总分
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
总分
Corsair CMK32GX4M2A2400C16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
16.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,123.3
12.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMK32GX4M2A2400C16 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
34
59
左右 -74% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMK32GX4M2A2400C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
59
34
读取速度,GB/s
4,833.8
16.1
写入速度,GB/s
2,123.3
12.0
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
731
3151
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB
Kingston 9965596-019.B01G 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.8FE 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMR128GX4M8X3800C19 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8RRGB16 8GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
Crucial Technology BLT8G4D30BET4K.C8FD 8GB
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