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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMK32GX4M2Z2400C16 16GB
比较
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Corsair CMK32GX4M2Z2400C16 16GB
总分
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
总分
Corsair CMK32GX4M2Z2400C16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
15.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,123.3
12.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMK32GX4M2Z2400C16 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
34
59
左右 -74% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMK32GX4M2Z2400C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
59
34
读取速度,GB/s
4,833.8
15.9
写入速度,GB/s
2,123.3
12.3
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 25
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
731
2972
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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4000C16-16GVKA 16GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
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Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXK 16GB
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHA0 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Corsair CMK16GX4M2A2133C13 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUC0B 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2933 8GB
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