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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMK64GX4M2D3000C16 32GB
比较
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Corsair CMK64GX4M2D3000C16 32GB
总分
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
总分
Corsair CMK64GX4M2D3000C16 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
17.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,123.3
13.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMK64GX4M2D3000C16 32GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
59
左右 -103% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMK64GX4M2D3000C16 32GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
59
29
读取速度,GB/s
4,833.8
17.1
写入速度,GB/s
2,123.3
13.9
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
731
3619
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston KHX3000C15D4/8GX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
AMD R748G2400U2S-UO 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Corsair CMSX8GX4M2A2400C16 4GB
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