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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMK64GX4M4B3000C15 16GB
比较
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Corsair CMK64GX4M4B3000C15 16GB
总分
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
总分
Corsair CMK64GX4M4B3000C15 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
14.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,123.3
11.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMK64GX4M4B3000C15 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
59
左右 -119% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMK64GX4M4B3000C15 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
59
27
读取速度,GB/s
4,833.8
14.4
写入速度,GB/s
2,123.3
11.7
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
731
2956
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
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Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBR 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Samsung M393B2G70AH0-YH9 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
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