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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMT32GX4M2Z3200C16 16GB
比较
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Corsair CMT32GX4M2Z3200C16 16GB
总分
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
总分
Corsair CMT32GX4M2Z3200C16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
17.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,123.3
15.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMT32GX4M2Z3200C16 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
59
左右 -111% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMT32GX4M2Z3200C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
59
28
读取速度,GB/s
4,833.8
17.9
写入速度,GB/s
2,123.3
15.3
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
731
3733
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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RAM 1
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FADG 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston MSI24D4U7D8MD-16 16GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Corsair CMD16GX4M2C3333C16 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMR128GX4M8Z2933C16 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Ramaxel Technology RMUA5210ME88HCF-3200 32GB
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