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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMU32GX4M4C3466C16 8GB
比较
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Corsair CMU32GX4M4C3466C16 8GB
总分
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
总分
Corsair CMU32GX4M4C3466C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
15.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,123.3
12.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMU32GX4M4C3466C16 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
37
59
左右 -59% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMU32GX4M4C3466C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
59
37
读取速度,GB/s
4,833.8
15.5
写入速度,GB/s
2,123.3
12.6
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
731
2962
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
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Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFT 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C16 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
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