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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMW32GX4M4Z3200C16 8GB
比较
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Corsair CMW32GX4M4Z3200C16 8GB
总分
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
总分
Corsair CMW32GX4M4Z3200C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
18
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,123.3
14.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMW32GX4M4Z3200C16 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
59
左右 -90% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMW32GX4M4Z3200C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
59
31
读取速度,GB/s
4,833.8
18.0
写入速度,GB/s
2,123.3
14.9
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
731
3711
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calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905744-027.A00G 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Kingston 9905744-023.A00G 16GB
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G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Kingston KHX2400C15/16G 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZ 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CMT32GX4M2K4000C19 16GB
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