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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
比较
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
总分
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
总分
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
16.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,123.3
15.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
34
59
左右 -74% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
59
34
读取速度,GB/s
4,833.8
16.6
写入速度,GB/s
2,123.3
15.2
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
731
3477
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston M378A1K43CB2-CRC 8GB
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Kingston 9905622-075.A00G 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GIS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Kingston 9905701-029.A00G 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Kingston 9905663-030.A00G 16GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston K821PJ-MIH 16GB
Maxsun MSD48G32Q3 8GB
Maxsun MSD48G30Q3 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMWX8GD3200C16W4 8GB
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