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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
比较
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
总分
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
总分
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
16.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,123.3
13.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
59
左右 -79% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
59
33
读取速度,GB/s
4,833.8
16.6
写入速度,GB/s
2,123.3
13.3
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
731
3141
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Asgard VMA45UH-MEC1U2AW2 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
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Kingston XJ69DF-MIE 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN26-SE 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMK16GX4M4C3000C16 4GB
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