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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS16G4D32AEST.M16FE 16GB
比较
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Crucial Technology BLS16G4D32AEST.M16FE 16GB
总分
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
总分
Crucial Technology BLS16G4D32AEST.M16FE 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
18.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,123.3
15.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS16G4D32AEST.M16FE 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
59
左右 -119% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS16G4D32AEST.M16FE 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
59
27
读取速度,GB/s
4,833.8
18.7
写入速度,GB/s
2,123.3
15.8
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
731
3712
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calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Avant Technology W641GU48J5213ND 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Corsair CMD128GX4M8A2400C14 16GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3000C15 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-VK 32GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CMU32GX4M2A2400C14 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905702-400.A00G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK4GX4M1D2400C14 4GB
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