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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS16G4D32AEST.M16FE 16GB
比较
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Crucial Technology BLS16G4D32AEST.M16FE 16GB
总分
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
总分
Crucial Technology BLS16G4D32AEST.M16FE 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
18.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,123.3
15.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS16G4D32AEST.M16FE 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
59
左右 -119% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS16G4D32AEST.M16FE 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
59
27
读取速度,GB/s
4,833.8
18.7
写入速度,GB/s
2,123.3
15.8
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
731
3712
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston KHX2933C17D4/8G 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG43F-D8KBGA------ 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Apacer Technology 78.C1GQ5.C7C0B 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston 9905624-033.A00G 8GB
Corsair CM3X8GA1600C10V2 8GB
Kingston 9905678-139.A00G 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9905701-098.A00G 16GB
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