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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD2 4GB
比较
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD2 4GB
总分
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
总分
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD2 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
16.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,123.3
12.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD2 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
59
左右 -90% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD2 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
59
31
读取速度,GB/s
4,833.8
16.5
写入速度,GB/s
2,123.3
12.2
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
731
2774
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
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Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Corsair CM4X16GE2400C16S4 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
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