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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FAD 8GB
比较
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FAD 8GB
总分
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
总分
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FAD 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
14.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,123.3
11.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FAD 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
59
左右 -127% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FAD 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
59
26
读取速度,GB/s
4,833.8
14.1
写入速度,GB/s
2,123.3
11.1
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
731
2646
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Advantech Co Ltd SQR-UD4N16G2K6SNCB 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Essencore Limited KD48GU880-26N160T 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
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G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 9965662-015.A00G 16GB
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