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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FB 16GB
比较
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FB 16GB
总分
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
总分
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FB 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
15.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,123.3
10.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FB 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
59
左右 -119% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FB 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
59
27
读取速度,GB/s
4,833.8
15.7
写入速度,GB/s
2,123.3
10.4
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
731
3052
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
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Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Panram International Corporation M424051 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Panram International Corporation PUD42400C168GVS 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Kingston 99U5723-002.A00G 8GB
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