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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FB 16GB
比较
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FB 16GB
总分
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
总分
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FB 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
14.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,123.3
10.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FB 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
38
59
左右 -55% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FB 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
59
38
读取速度,GB/s
4,833.8
14.8
写入速度,GB/s
2,123.3
10.9
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
731
2536
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Corsair CMW32GX4M4C3200C14 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AFW0C 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 9905712-010.A00G 16GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZ 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3600C18 4GB
Kingston 9905703-011.A00G 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBD 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
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