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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB
比较
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB
总分
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
总分
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
15.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,123.3
11.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
32
59
左右 -84% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
59
32
读取速度,GB/s
4,833.8
15.5
写入速度,GB/s
2,123.3
11.8
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
731
2858
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9965669-019.A00G 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMT16GX4M2K4266C19 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Mushkin MES4S213FF16G28 16GB
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