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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBR2 8GB
比较
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBR2 8GB
总分
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
总分
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBR2 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
16.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,123.3
10.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBR2 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
32
59
左右 -84% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBR2 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
59
32
读取速度,GB/s
4,833.8
16.5
写入速度,GB/s
2,123.3
10.8
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
731
2739
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMW16GX4M1Z3600C18 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Kingston KF2666C15S4/8G 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C14 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMK8GX4M2B3200C16 4GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB
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