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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A 8GB
比较
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Crucial Technology CT8G4SFS632A 8GB
总分
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
总分
Crucial Technology CT8G4SFS632A 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
16.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,123.3
12.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4SFS632A 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
43
59
左右 -37% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
25600
6400
左右 4 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
59
43
读取速度,GB/s
4,833.8
16.5
写入速度,GB/s
2,123.3
12.3
内存带宽,mbps
6400
25600
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
731
2885
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3600C16-8GVKC 8GB
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SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30BET4.C16FD 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CM4X8GF2400Z16K4 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9965662-013.A01G 16GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FJ 16GB
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