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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
比较
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
总分
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
总分
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
19.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
55
59
左右 -7% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.8
2,123.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
59
55
读取速度,GB/s
4,833.8
19.5
写入速度,GB/s
2,123.3
8.8
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
731
2274
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMK32GX4M4A2666C15 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CM4X8GD3200C16K2E 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9965669-025.A00G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FH 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB
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