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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
比较
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
总分
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
总分
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
21.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,123.3
17.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
59
左右 -157% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
59
23
读取速度,GB/s
4,833.8
21.2
写入速度,GB/s
2,123.3
17.2
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
731
4043
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB RAM的比较
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Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BQXS 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C14 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBD 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
DSL Memory D4SS1G081SH24A-A 8GB
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