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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB
比较
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB
总分
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
总分
G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
21.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,123.3
18.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
59
左右 -79% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
59
33
读取速度,GB/s
4,833.8
21.1
写入速度,GB/s
2,123.3
18.8
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, , CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
731
3959
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Micron Technology 16HTF25664AY-800E1 2GB
Kingston 9905701-006.A00G 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMK32GX4M4B2800C14 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston 9905702-119.A00G 8GB
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G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston KHX2666C13/16GX 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB
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