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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB
比较
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB
总分
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
总分
G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
19.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,123.3
15.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
59
左右 -136% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
59
25
读取速度,GB/s
4,833.8
19.2
写入速度,GB/s
2,123.3
15.6
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
731
3803
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
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ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRS 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Kingston 9905663-008.A00G 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
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