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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-5066C20-8GVK 8GB
比较
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-5066C20-8GVK 8GB
总分
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
总分
G Skill Intl F4-5066C20-8GVK 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
19.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,123.3
17.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-5066C20-8GVK 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
24
59
左右 -146% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-5066C20-8GVK 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
59
24
读取速度,GB/s
4,833.8
19.4
写入速度,GB/s
2,123.3
17.4
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
731
3809
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston KHX2400C12D4/16GX 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Avant Technology W641GU48J5213ND 8GB
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Corsair CMK64GX4M8A2400C14 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBD2 8GB
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Ramsta Ramsta-2666MHz-4G 4GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
KingSpec KingSpec 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston 9905633-017.A00G 8GB
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