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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2666 4GB
比较
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Golden Empire CL15-15-15 D4-2666 4GB
总分
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
总分
Golden Empire CL15-15-15 D4-2666 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
13.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,123.3
11.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Golden Empire CL15-15-15 D4-2666 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
59
左右 -127% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2666 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
59
26
读取速度,GB/s
4,833.8
13.4
写入速度,GB/s
2,123.3
11.0
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
731
2673
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
V-Color Technology Inc. TC416G24D817 16GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBR2 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVGB 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
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