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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2400 8GB
比较
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Golden Empire CL16-16-16 D4-2400 8GB
总分
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
总分
Golden Empire CL16-16-16 D4-2400 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
16
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,123.3
11.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Golden Empire CL16-16-16 D4-2400 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
34
59
左右 -74% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2400 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
59
34
读取速度,GB/s
4,833.8
16.0
写入速度,GB/s
2,123.3
11.6
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
731
2917
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX2666C13D4/8GX 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXK 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston KHX2400C15S4/8G 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FHP 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Mushkin 99[2/7/4]199F 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
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