RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
比较
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
总分
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
总分
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
17.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,123.3
13.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
22
59
左右 -168% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
59
22
读取速度,GB/s
4,833.8
17.7
写入速度,GB/s
2,123.3
13.1
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
731
2666
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB RAM的比较
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston 99U5734-036.A00G 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston ACR21D4S15HAG/8G 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Corsair CMT128GX4M8X3600C18 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3000C15 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FJ 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
报告一个错误
×
Bug description
Source link