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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9905678-029.A00G 8GB
比较
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Kingston 9905678-029.A00G 8GB
总分
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
总分
Kingston 9905678-029.A00G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
12.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 9905678-029.A00G 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
59
左右 -136% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
6.9
2,123.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9905678-029.A00G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
59
25
读取速度,GB/s
4,833.8
12.6
写入速度,GB/s
2,123.3
6.9
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
731
2068
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Essencore Limited IM44GU48N21-FFFHM 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4B.M8FB1 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160X 16GB
Kingston KHX16 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C14 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB
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