RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9905678-121.A00G 8GB
比较
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Kingston 9905678-121.A00G 8GB
总分
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
总分
Kingston 9905678-121.A00G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
16.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,123.3
10.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 9905678-121.A00G 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
59
左右 -157% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9905678-121.A00G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
59
23
读取速度,GB/s
4,833.8
16.6
写入速度,GB/s
2,123.3
10.5
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
731
2710
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB RAM的比较
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Kingston 9905678-121.A00G 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
Corsair CMSX8GX3M1A1600C1 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston KF3600C18D4/32GX 32GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRB 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFT 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FE1 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMW8GX4M1D3000C16 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C15 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FE 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADG 4GB
报告一个错误
×
Bug description
Source link