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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9905711-017.A00G 4GB
比较
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Kingston 9905711-017.A00G 4GB
总分
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
总分
Kingston 9905711-017.A00G 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
14.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,123.3
11.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 9905711-017.A00G 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
43
59
左右 -37% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9905711-017.A00G 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
59
43
读取速度,GB/s
4,833.8
14.1
写入速度,GB/s
2,123.3
11.0
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
731
2260
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
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Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMK128GX4M8A2666C16 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Avant Technology W642GU42J7240N8 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C8FBD1 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
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