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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston ACR26D4U9S8HJ-8 8GB
比较
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Kingston ACR26D4U9S8HJ-8 8GB
总分
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
总分
Kingston ACR26D4U9S8HJ-8 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
15.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,123.3
12.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston ACR26D4U9S8HJ-8 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
59
左右 -97% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston ACR26D4U9S8HJ-8 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
59
30
读取速度,GB/s
4,833.8
15.9
写入速度,GB/s
2,123.3
12.4
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
731
3021
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB RAM的比较
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Kingston ACR26D4U9S8HJ-8 8GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2400D464L17S/8G 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/8G 8GB
Mushkin 991586 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AFW0C 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-XN 32GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
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