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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston KHX3000C15D4/8GX 8GB
比较
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Kingston KHX3000C15D4/8GX 8GB
总分
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
总分
Kingston KHX3000C15D4/8GX 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
17.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,123.3
13.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston KHX3000C15D4/8GX 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
59
左右 -97% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston KHX3000C15D4/8GX 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
59
30
读取速度,GB/s
4,833.8
17.3
写入速度,GB/s
2,123.3
13.4
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
731
3267
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FAD 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Corsair CM4X4GF2133C13K4 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMK16GX4M2A2800C16 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CM4X16GE2400C16S4 16GB
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