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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston MSI24D4U7D8MD-16 16GB
比较
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Kingston MSI24D4U7D8MD-16 16GB
总分
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
总分
Kingston MSI24D4U7D8MD-16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
16.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,123.3
10.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston MSI24D4U7D8MD-16 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
59
左右 -157% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston MSI24D4U7D8MD-16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
59
23
读取速度,GB/s
4,833.8
16.6
写入速度,GB/s
2,123.3
10.9
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
731
2848
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB RAM的比较
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Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingmax Semiconductor GSAH22F-18---------- 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRKWK 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Essencore Limited KD48GU88A-26N1600 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Corsair CMH16GX4M2Z3600C18 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair MK16GX44B3000C15 4GB
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